高深宽比下的刻蚀，可以实现硅基超表面凸起/凹陷结构刻蚀、背腔深刻蚀、悬臂梁、大尺寸微针/微柱等特殊传感器的制作。
基于硅或SOI衬底的器件，采用标准BOSCH工艺，可以实现超深宽比（20-50:1）下的通孔、通槽、微井阵列、悬臂梁、光栅等结构的制作。
产品特点
适用工艺
BOSCH工艺或常规干法ICP等离子刻蚀工艺。
产品应用
PMUT、压力传感、MOS管、TEM超分别率电镜载网、加速度计、梳齿结构、基因测序微井阵列、生物样品阵列分选等。
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