国内顶配主流深刻蚀系统，主要用于传感器和执行器结构的深刻蚀，对于硅基刻蚀，常规可以做到20-50：1的超高深宽比。 1. 工艺气体：C4F8、SF6、O2和 Ar等； 2. ICP 主射频功率：50-3000W；副射频功率 50-1500W；Bias 源功率：15-600W；匹配稳定时间＜1 s； 3. 下极板氦冷温度范围-20～80℃下电极控温精度±0.5℃； 4. 样品尺寸：最大直径 6英寸，向下兼容