配备日本samco RIE刻蚀设备，用于常规硅材料、氮化硅、氧化硅、铌、InP、GaAs、GaN及其他Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体等材料的刻蚀。 1、工艺气体：SF6、CF4、O2和 Ar； 2、射频功率：600W@13.56MHz； 3、带有光学干涉终点检测仪；配有 LOADLOCK； 4、样品尺寸：最大 8 英寸；向下兼容；