可实现精准厚度控制的薄膜沉积系统。一般用于氧化硅、氮化硅、及各种金属单质和合金膜的蒸发沉积。技术指标： 1. 极限真空度：≤3×10-5 Pa； 2. 最大加热温度 300℃，控温精度：±0.1℃； 3. 坩埚的数目 4 个，每个坩埚的容量 8cc； 4. 石英晶体振荡膜厚监控仪闭环控制薄膜速率和厚度； 5. 样品尺寸：最大直径为 6英寸样品一件，向下兼容。